Es como un Formula Uno. Sueñas con él, nunca lo podras conducir por la calle pero la tecnología que se desarrolla con esos modelos luego encuentra aplicación en los que utilizamos todos los días. Investigadores de IBM y del Instituto de Tecnología de Georgia han establecido un nuevo record de velocidad para un transistor de Silicio que marca un nuevo límite para lo que esta tecnología es capaz.
Para ello añadieron al silicio algo de germanio otro material semiconductor. El conjunto forma una aleación denominada SiGe que presenta mejores condiciones de funcionamiento que el silicio puro ya que favorece la circulación de los electrones. Y además puede ser fabricado con las mismas instalaciones y equipos utilizados con el Silicio. Esta elección favorece la aplicación de este avance en los equipos normales que todos utilizamos.
¿Como medimos la velocidad de los transistores? Se calcula en función del tiempo que le cuesta abrir y cerrar el paso a la corriente eléctrica. Así un transistor a 1 GHz puede dar paso e interrumpir la corriente un millón mil millones de veces en un solo segundo.
Buscando las mejores condiciones para lograr el nuevo record, los investigadores enfriaron el transistor a 268 grados bajo cero, casi hasta el cero absoluto. A esa temperatura se pudo elevar la velocidad del transistor hasta 500 GHZ, unas doscientas veces la velocidad del procesador de mi ordenador. Cuando se probó el transistor a temperatura ambiente la velocidad máxima fue de 300 Ghz, “solo” 100 veces más rápido. Me pregunto que tipo de aplicaciones podrán desarrollarse para ordenadores 100 veces más rápidos.
Vía | New Scientist Más información | The New York Times
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